Компания ASML представила источник излучения мощностью 250 Вт для фотолитографии в глубоком ультрафиолете

Компания ASML представила источник излучения мощностью 250 Вт для фотолитографии в глубоком ультрафиолете

Полупроводниковая отрасль вплотную приблизилась к внедрению в серийном производстве процесса фотолитографии в глубоком ультрафиолете (EUV), перспективной при переходе к более тонким топологическим нормам. Интенсивные разработки оборудования для EUV-фотолитографии ведутся с 2012 года, но отсутствие достаточно мощного источника излучения не давало достичь необходимого для серийного производства уровня производительности. На выставке Semicon West компания ASML (Нидерланды), один из ведущих разработчиков и производителей оборудование для полупроводникового производства, продемонстрировала источник EUV-излучения мощностью 250 Вт. Такой источник должен обрабатывать 125…

Read More

5 нанометров взят: IBM, Globalfoundries и Samsung создали первый в мире транзистор по технологии 5-нм

5 нанометров взят: IBM, Globalfoundries и Samsung создали первый в мире транзистор по технологии 5-нм

Менее чем через два года после анонсирования тестового чипа 7 нм ученые добились еще одного прорыва. Исследовательский альянс IBM, GLOBALFOUNDRIES и Samsung при поддержке производителей технологического оборудования для микроэлектроники разработали первый в полупроводниковой отрасли процесс создания транзисторов на кремниевой двумерной нанопленке (дословный перевод Nanosheet — нанолист, двумерная наноструктура с толщиной в масштабе от 1 до 100 нм, типичным примером которой является графен, самый тонкий двумерный материал (0,34 нм) в мире, и состоящий из одного слоя…

Read More