Открыт новый революционный материал для спинтроники

Открыт новый революционный материал для спинтроники

Немецкие ученые из университета Вюрцбурга создали новый материал — висмутен (bismuthene), который в парадигме спинтроники позволяет передавать информацию при комнатной температуре. Это настоящий прорыв для спинтроники, который открывает горизонты для создания по-настоящему микроскопических устройств, пишет Digital Trends. Cпинтроника — это раздел квантовой электроники, занимающийся изучением спинового переноса тока в твердотельных веществах. В устройствах спинтроники, в отличие от устройств обычной электроники, энергию или информацию переносит не электрический ток, а ток спинов. У спинтроники большой потенциал по созданию сверхбыстрых и экономичных компьютеров,…

Read More

Топологический изолятор и полупроводник открывают дорогу к спинтронике

Топологический изолятор и полупроводник открывают дорогу к спинтронике

В работе, опубликованной в Nature Communications, исследовательская команда из шведского Университета Линчёпинга сделала первый шаг к переносу спин-ориентированных электронов между обычным полупроводником и топологическим изолятором, недавно открытым состоянием материи с уникальными электрическими свойствами. Спинтроника обещает большие преимущества по сравнению с обычными электроники, включая пониженное энергопотребление и более высокая скорость. С точки зрения электронной проводимости, материалы подразделяются на три категории: проводники, полупроводники и изоляторы. Исследователи недавно обнаружили экзотическую фазу материи, известную как «топологический изолятор», который является…

Read More

Открыт перспективный проводник для применения в спинтронике

Открыт перспективный проводник для применения в спинтронике

Современные IT технологии, базирующиеся на полупроводниковой продукции, приближаются к пределу допустимых характеристик миниатюризации и вычислительной мощности. Одним из перспективных направлений дальнейшего повышения производительности является спинтроника, занимающайся изучением спинового токопереноса (спин-поляризованного транспорта) в твердотельных веществах, в частности в гетероструктурах ферромагнетик-парамагнетик или ферромагнетик-сверхпроводник. Научный коллектив Университета Киото (Япония), Института исследования низких температур им. Вальтера Мейснера (WMI) и Мюнхенского технического университета (TUM) в Гархинге (Германия) экспериментально продемонстрировали перенос спиновой информации при комнатной температуре. В исследовании авторы применили уникальную…

Read More

Spin Transfer Technologies начинает поставки образцов магниторезистивной памяти ST-MRAM

Spin Transfer Technologies начинает поставки образцов магниторезистивной памяти ST-MRAM

Компания Spin Transfer Technologies (STT), занятая разработкой магниторезистивной памяти с произвольным доступом на эффекте переноса спина (Orthogonal Spin Transfer Magneto-Resistive Random Access Memory, OST-MRAM), сообщила о начале поставок ознакомительных образцов. По словам производителя, полнофункциональные образцы уже доставлены заказчикам в Северной Америке и в Азии. В образцах использован 80 нм перпендикулярный магнитный тоннельный переход (MTJs), последнее поколение технологии MRAM. Микросхемы памяти поставляются на платах для разработчиков, так что заказчики могут сразу приступить к ознакомлению с их…

Read More