GlobalFoundries объявил о готовности 7-нанометрового техпроцесса 7LP FinFET

Компания GlobalFoundries сообщила, что проектировщики могут начинать создавать решения для производства с использованием 7-нм техпроцесса 7LP FinFET (Leading-Performance). Это могут быть производительные мобильные системы на кристалле SoC, серверные и сетевые процессоры. На данный момент доступны комплекты для проектирования. Ожидается, что первые потребительские продукты, основанные на техпроцессе 7LP FinFET, будут выпущены в первой половине 2018 года, при этом на крупносерийный выпуск производство должно выйти во второй половине 2018 года. Сейчас технология уже готова для производства опытных образцов клиентов на площадке Фаб 8 в округе Саратога, штат Нью-Йорк. По сравнению с техпроцессом 14 нм FinFET, 7LP позволит увеличить производительность до 40% при двукратном увеличении плотности расположения транзисторов. Заявленная плотность размещения затворов (транзисторов) в техпроцессе 7LP FinFET составит 17 млн штук на 1 кв.мм. Это один из важных показателей, поскольку для ряда слоёв необходимо будет использовать по три фотошаблона, что увеличит себестоимость производства. Так что двукратное увеличение объёма выпуска решений с одной пластины сможет частично компенсировать рост затрат на производство 7-нм чипов.

В компании уточняют, что техпроцесс 7LP FinFET опирается на традиционную иммерсионную литографию и сканеры в диапазоне 193 нм. В то же время GlobalFoundries инвестирует в новейшее производственное оборудование и, в частности, покупает две EUV литографические установки (Extreme ultraviolet lithography — фотолитография в глубоком ультрафиолете). Монтаж EUV-сканеров на линиях завода Fab 8 в США намечен на вторую половину текущего года. Для обработки критически важных слоёв в 7-нм техпроцессе эти установки будут готовы примерно через год после установки.

Leave a Comment