Открыт новый революционный материал для спинтроники

Открыт новый революционный материал для спинтроники

Немецкие ученые из университета Вюрцбурга создали новый материал — висмутен (bismuthene), который в парадигме спинтроники позволяет передавать информацию при комнатной температуре. Это настоящий прорыв для спинтроники, который открывает горизонты для создания по-настоящему микроскопических устройств, пишет Digital Trends. Cпинтроника — это раздел квантовой электроники, занимающийся изучением спинового переноса тока в твердотельных веществах. В устройствах спинтроники, в отличие от устройств обычной электроники, энергию или информацию переносит не электрический ток, а ток спинов. У спинтроники большой потенциал по созданию сверхбыстрых и экономичных компьютеров,…

Read More

Топологический изолятор и полупроводник открывают дорогу к спинтронике

Топологический изолятор и полупроводник открывают дорогу к спинтронике

В работе, опубликованной в Nature Communications, исследовательская команда из шведского Университета Линчёпинга сделала первый шаг к переносу спин-ориентированных электронов между обычным полупроводником и топологическим изолятором, недавно открытым состоянием материи с уникальными электрическими свойствами. Спинтроника обещает большие преимущества по сравнению с обычными электроники, включая пониженное энергопотребление и более высокая скорость. С точки зрения электронной проводимости, материалы подразделяются на три категории: проводники, полупроводники и изоляторы. Исследователи недавно обнаружили экзотическую фазу материи, известную как «топологический изолятор», который является…

Read More

GlobalFoundries объявил о готовности 7-нанометрового техпроцесса 7LP FinFET

GlobalFoundries объявил о готовности 7-нанометрового техпроцесса 7LP FinFET

Компания GlobalFoundries сообщила, что проектировщики могут начинать создавать решения для производства с использованием 7-нм техпроцесса 7LP FinFET (Leading-Performance). Это могут быть производительные мобильные системы на кристалле SoC, серверные и сетевые процессоры. На данный момент доступны комплекты для проектирования. Ожидается, что первые потребительские продукты, основанные на техпроцессе 7LP FinFET, будут выпущены в первой половине 2018 года, при этом на крупносерийный выпуск производство должно выйти во второй половине 2018 года. Сейчас технология уже готова для производства опытных…

Read More

В России открыта Ассоциация разработчиков и производителей электроники

В России открыта Ассоциация разработчиков и производителей электроники

13 июня 2017 года начала деятельность Ассоциация разработчиков и производителей электроники (АРПЭ). Примечательно, что объединение учредили частные компании- разработчики и производители электронных систем и сборок. В их числе холдинг GS Group, компании «Зелакс», «АТОЛ», «Завод “Эталон”», «Связь инжиниринг», всего более 30 предприятий уже заявили о готовности присоединиться к работе АРПЭ. В планах — объединение свыше 100 компаний. АРПЭ нацелена на развитие российской электронной промышленности посредством координации деятельности частных компаний и государства, усиления отраслевой кооперации, реализации…

Read More

Электробус КАМАЗ-Drive Electro обрел ультрабыструю зарядку

Электробус КАМАЗ-Drive Electro обрел ультрабыструю зарядку

КАМАЗ представил первую в России станцию ультрабыстрой зарядки для электробусов, разработчиком которой стала российская инжиниринговая компания Drive Electro. Восполнение энергии, потраченной на маршрут между конечными остановками, заняло 6 минут. При таких показателях электробус может проезжать более 300 км в сутки. Уникальность зарядной станции состоит в ее компактных габаритах. Кроме того, устройство можно подключить к сети переменного или постоянного тока (например, троллейбусной) и производить подзарядку электробуса в автоматическом режиме. Электробус КАМАЗ-Drive Electro второго поколения начал перевозить…

Read More

5 нанометров взят: IBM, Globalfoundries и Samsung создали первый в мире транзистор по технологии 5-нм

5 нанометров взят: IBM, Globalfoundries и Samsung создали первый в мире транзистор по технологии 5-нм

Менее чем через два года после анонсирования тестового чипа 7 нм ученые добились еще одного прорыва. Исследовательский альянс IBM, GLOBALFOUNDRIES и Samsung при поддержке производителей технологического оборудования для микроэлектроники разработали первый в полупроводниковой отрасли процесс создания транзисторов на кремниевой двумерной нанопленке (дословный перевод Nanosheet — нанолист, двумерная наноструктура с толщиной в масштабе от 1 до 100 нм, типичным примером которой является графен, самый тонкий двумерный материал (0,34 нм) в мире, и состоящий из одного слоя…

Read More

Центр полупроводниковой наноэлектроники МИЭТ и IMEC

Центр полупроводниковой наноэлектроники МИЭТ и IMEC

На площадке Особой экономической зоны МИЭТ прошло совещание с представителями IMEC (Бельгия) по реализации проекта создания мини-фаундри для прототипирования СБИС и СНК с проектными нормами до 28 нм. На мероприятии был представлен новый проект «Центр Полупроводниковой Наноэлектроники» в Зеленограде на базе АО «ЗНТЦ» и НИУ МИЭТ, дискутировались вопросы удовлетворения потребностей российских предприятий-разработчиков в прототипировании и мелкосерийном изготовлении СБИС и СНК. Представлялись также ключевые технологии, планируемые к передаче в Центр полупроводниковой наноэлектроники, а также обсуждалась совместимость…

Read More

Samsung завершил аттестацию 10-нм полупроводниковой технологии второго поколения

Samsung завершил аттестацию 10-нм полупроводниковой технологии второго поколения

Компания Samsung Electronics, мировой лидер в области полупроводниковых технологий, объявила об успешном завершении аттестации второго поколения 10-нанометровой FinFET  технологии 10LPP (Low Power Plus). Таким образом, второе поколение 10-нанометрового техпроцесса готово к производственному внедрению. Улучшение полупроводниковой технологии в структуре 3D FinFET 10LPP позволило на 10% повысить производительность или на 15% снизить энергопотребление по сравнению с первым поколением 10LPE. Samsung первой в отрасли начала массовое производство систем на кристалле (SoCs) на 10LPE в октябре прошлого года. В…

Read More

Фотовольтаика перешагнула собственные пределы: КПД солнечных ячеек превысил 50%

Фотовольтаика перешагнула собственные пределы: КПД солнечных ячеек превысил 50%

Специалисты японского университета Кобе разработали и успешно провели испытание новой структуры солнечных батарей, которая способна обеспечить преобразования фотонов в в электричество с КПД более 50%.  Работоспособность идеи уже подтверждена экспериментально. Теоретический предел эффективности обычных фотогальванических ячеек с одним переходом примерно равен 30%. Другими словами, большая часть солнечной энергии не преобразуется в электричество. Рекордное значение, примерно равное 46%, достигнуто с использованием ячейки с четырьмя переходами. Японские исследователи обратились к идее гетероперехода, состоящего из полупроводников с разной…

Read More

Национальный центр развития технологий и инвестиций

Национальный центр развития технологий и инвестиций

В начале года журналист интернет-портала «Наукоёмкие технологии: инжиниринг, инвестиции, инновации» встретился с руководителем созданной в 2016 году неправительственной организации «Национальный центр развития технологий и инвестиций» (НЦРТИ). Редакцию еще в прошлом году заинтересовала работа новой организации, факт деятельности в секторе неправительственных объединений, которых не так уж много в промышленной среде. На наши вопросы отвечает Станислав Писарев — руководитель и основатель «Национального центра развития технологий и инвестиций». Станислав, вы возглавили Национальный центр развития технологий и инвестиций (НЦРТИ)….

Read More
1 2 3 12