Новая перспектива полупроводниковой продукции: диоксид гафния

Новая перспектива полупроводниковой продукции: диоксид гафния

Ученые из Стэнфордского университета доказали, что использование диселенида и диоксида гафния может позволить сделать кремниевые транзисторы в десять раз меньше, чем существующие сегодня рекордные показатели. В последние годы разработчики чипов приближаются к физическим ограничениям закона Мура. Толщина кремниевых элементов уже пришла к пределу 5-7 нанометров и измеряется десятками атомов, что накладывает серьезные ограничения на дальнейшую миниатюризацию полупроводниковых изделий. Кремний используется как основной материал в полупроводниковой промышленности из-за двух важных свойств: он обладает такой шириной запрещенной…

Read More

3D-печать обеспечит дальнейшее продвижение микрофлюидики

3D-печать обеспечит дальнейшее продвижение микрофлюидики

Ученые университета Бригама Янга (США) предложил метод 3D-печати для создания микрофлюидных «лабораторий-на-чипе» с рекордно тонкими каналами. Благодаря технологии DLP («цифровой обработки света») и тщательному подбору материала для печати авторы добились стопроцентного выхода при создании каналов сечением 18×20 квадратных микрон — в 10 раз меньшей площади, чем удавалось до сих пор. Микрофлюидика — это область, исследующая поведение жидкостей в каналах толщиной порядка микрон. Благодаря небольшим размерам микрофлюидные устройства позволяют проводить сложные многостадийные манипуляции с жидкостями и…

Read More

Первый невзламываемый спутник с квантовым шифрованием прошел тестирование

Первый невзламываемый спутник с квантовым шифрованием прошел тестирование

Китайские ученые объявили об успешном эксперименте в области квантового шифрования. Впервые в мире успешно переданы данные на Землю со спутника с применением технологии квантового шифрования. Пакет информации был отправлен со спутника «Мо-Цзы» на китайские наблюдательные станции Синлун и Наньшань. Академик китайской академии наук Пан Цзянвэй (Pan Jianwei) отметил, что расстояние между спутником и наземными станциями составляло от 645 до 1200 км в разные моменты передачи пакета данных. Скорость передачи была «на 20 порядков больше», чем…

Read More

Открыт новый революционный материал для спинтроники

Открыт новый революционный материал для спинтроники

Немецкие ученые из университета Вюрцбурга создали новый материал — висмутен (bismuthene), который в парадигме спинтроники позволяет передавать информацию при комнатной температуре. Это настоящий прорыв для спинтроники, который открывает горизонты для создания по-настоящему микроскопических устройств, пишет Digital Trends. Cпинтроника — это раздел квантовой электроники, занимающийся изучением спинового переноса тока в твердотельных веществах. В устройствах спинтроники, в отличие от устройств обычной электроники, энергию или информацию переносит не электрический ток, а ток спинов. У спинтроники большой потенциал по созданию сверхбыстрых и экономичных компьютеров,…

Read More

Топологический изолятор и полупроводник открывают дорогу к спинтронике

Топологический изолятор и полупроводник открывают дорогу к спинтронике

В работе, опубликованной в Nature Communications, исследовательская команда из шведского Университета Линчёпинга сделала первый шаг к переносу спин-ориентированных электронов между обычным полупроводником и топологическим изолятором, недавно открытым состоянием материи с уникальными электрическими свойствами. Спинтроника обещает большие преимущества по сравнению с обычными электроники, включая пониженное энергопотребление и более высокая скорость. С точки зрения электронной проводимости, материалы подразделяются на три категории: проводники, полупроводники и изоляторы. Исследователи недавно обнаружили экзотическую фазу материи, известную как «топологический изолятор», который является…

Read More

GlobalFoundries объявил о готовности 7-нанометрового техпроцесса 7LP FinFET

GlobalFoundries объявил о готовности 7-нанометрового техпроцесса 7LP FinFET

Компания GlobalFoundries сообщила, что проектировщики могут начинать создавать решения для производства с использованием 7-нм техпроцесса 7LP FinFET (Leading-Performance). Это могут быть производительные мобильные системы на кристалле SoC, серверные и сетевые процессоры. На данный момент доступны комплекты для проектирования. Ожидается, что первые потребительские продукты, основанные на техпроцессе 7LP FinFET, будут выпущены в первой половине 2018 года, при этом на крупносерийный выпуск производство должно выйти во второй половине 2018 года. Сейчас технология уже готова для производства опытных…

Read More

В России открыта Ассоциация разработчиков и производителей электроники

В России открыта Ассоциация разработчиков и производителей электроники

13 июня 2017 года начала деятельность Ассоциация разработчиков и производителей электроники (АРПЭ). Примечательно, что объединение учредили частные компании- разработчики и производители электронных систем и сборок. В их числе холдинг GS Group, компании «Зелакс», «АТОЛ», «Завод “Эталон”», «Связь инжиниринг», всего более 30 предприятий уже заявили о готовности присоединиться к работе АРПЭ. В планах — объединение свыше 100 компаний. АРПЭ нацелена на развитие российской электронной промышленности посредством координации деятельности частных компаний и государства, усиления отраслевой кооперации, реализации…

Read More

Электробус КАМАЗ-Drive Electro обрел ультрабыструю зарядку

Электробус КАМАЗ-Drive Electro обрел ультрабыструю зарядку

КАМАЗ представил первую в России станцию ультрабыстрой зарядки для электробусов, разработчиком которой стала российская инжиниринговая компания Drive Electro. Восполнение энергии, потраченной на маршрут между конечными остановками, заняло 6 минут. При таких показателях электробус может проезжать более 300 км в сутки. Уникальность зарядной станции состоит в ее компактных габаритах. Кроме того, устройство можно подключить к сети переменного или постоянного тока (например, троллейбусной) и производить подзарядку электробуса в автоматическом режиме. Электробус КАМАЗ-Drive Electro второго поколения начал перевозить…

Read More

5 нанометров взят: IBM, Globalfoundries и Samsung создали первый в мире транзистор по технологии 5-нм

5 нанометров взят: IBM, Globalfoundries и Samsung создали первый в мире транзистор по технологии 5-нм

Менее чем через два года после анонсирования тестового чипа 7 нм ученые добились еще одного прорыва. Исследовательский альянс IBM, GLOBALFOUNDRIES и Samsung при поддержке производителей технологического оборудования для микроэлектроники разработали первый в полупроводниковой отрасли процесс создания транзисторов на кремниевой двумерной нанопленке (дословный перевод Nanosheet — нанолист, двумерная наноструктура с толщиной в масштабе от 1 до 100 нм, типичным примером которой является графен, самый тонкий двумерный материал (0,34 нм) в мире, и состоящий из одного слоя…

Read More

Центр полупроводниковой наноэлектроники МИЭТ и IMEC

Центр полупроводниковой наноэлектроники МИЭТ и IMEC

На площадке Особой экономической зоны МИЭТ прошло совещание с представителями IMEC (Бельгия) по реализации проекта создания мини-фаундри для прототипирования СБИС и СНК с проектными нормами до 28 нм. На мероприятии был представлен новый проект «Центр Полупроводниковой Наноэлектроники» в Зеленограде на базе АО «ЗНТЦ» и НИУ МИЭТ, дискутировались вопросы удовлетворения потребностей российских предприятий-разработчиков в прототипировании и мелкосерийном изготовлении СБИС и СНК. Представлялись также ключевые технологии, планируемые к передаче в Центр полупроводниковой наноэлектроники, а также обсуждалась совместимость…

Read More
1 2 3 12