Компания ASML представила источник излучения мощностью 250 Вт для фотолитографии в глубоком ультрафиолете

Полупроводниковая отрасль вплотную приблизилась к внедрению в серийном производстве процесса фотолитографии в глубоком ультрафиолете (EUV), перспективной при переходе к более тонким топологическим нормам. Интенсивные разработки оборудования для EUV-фотолитографии ведутся с 2012 года, но отсутствие достаточно мощного источника излучения не давало достичь необходимого для серийного производства уровня производительности. На выставке Semicon West компания ASML (Нидерланды), один из ведущих разработчиков и производителей оборудование для полупроводникового производства, продемонстрировала источник EUV-излучения мощностью 250 Вт. Такой источник должен обрабатывать 125 пластин в час. Представление о темпах разработки дает следующий факт: в 2012 году был продемонстрирован источник EUV мощностью примерно 25 Вт, в феврале этого года ASML продемонстрировал пропускную способность 104 WPH (wafers per hour — полупроводниковых пластин в час). По оценке ASML, одна установка для EUV-литографии будет стоить не менее 100 млн долларов. Однако ее эксплуатация экономически более оправдана по сравнению с иммерсионной литографией с тремя или четырьмя шаблонами. Компании Intel, Samsung, TSMC и Globalfoundries планируют внедрить EUV-фотолитографиюна своих производствах  в течение ближайших двух лет.

COMMENTS

  • Loyd Vibert

    Nice blog here! Also your web site loads up fast! What host are you using? Can I get your affiliate link to your host? I wish my web site loaded up as fast as yours lol

Leave a Comment